电子束光刻系统EBL(E-BeamLithography)是纳米光刻技术中的关键设备之一，在微纳电子器件的制作中扮演重要角色。日本CRESTEC公司提供先进的电子束纳米光刻（EBL）系统，也称为电子束直写（EBD）或电子束爆光系统。型号包括CABL-9000C系列、CABL-9000TF系列、8000TF系列、CABL-4200LB和CABL-4200LB。其中CABL-9000C系列最小线宽可达8nm，最小束斑直径2nm，套刻精度20nm(mean+2σ)，拼接精度20nm(mean+2σ)。

技术参数：

1. 最小线宽：小于10nm（8nm可提供）

2. 加速电压：5-50kV

3. 电子束直径：小于2nm

4. 套刻精度：20nm(mean+2σ)

5. 拼接精度：20nm(mean+2σ)

6. 加工晶圆尺寸：4-8英寸(标准)，12英寸(选项)

7. 描电镜分辨率：小于2nm

主要特点：

1. 采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪

2. 出色的电子束偏转控制技术

3. 采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（addresssize)可达0.0012nm

4. 采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达0.01mrad

5. 应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs兼容工艺，研究用掩膜制造，纳米加工（例如单电子器件、量子器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix&Match），图形线宽和图形位移测量等。

超高分辨率电子束光刻EBLUltrahighResolutionEBLithography(CABL-UHseries)在微纳电子器件制作中扮演关键角色。日本CRESTEC公司提供超高分辨率的电子束纳米光刻（EBL）系统，也称为电子束直写（EBD）或电子束爆光系统。CABL-UH系列的型号包括：CABL-UH90(90keV)、CABL-UH110(110keV)、CABL-UH130(130keV)。

技术参数：

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加速电压：最高130keV单段加速能力达到130keV，尽量减少电子枪的长度，超短电子枪长度，无微放电电子束直径＜1.6nm最小线宽＜7nm双热控制，实现超稳定直写能力。