光谱部件InAs系列砷化铟探测器DInAs3800-TE
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光谱部件InAs系列砷化铟探测器DInAs3800-TE

产品属性

  • 品牌卓立汉光
  • 产地北京
  • 型号DInAs3800-TE
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产品描述
产品概述
砷化铟探测器(InAs探测器)使用建议:

■DInAs3800-TE为电流输出模式的光电探测器,在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前,建议采用I-V跨导放大器做为前级放大并转换为电压信号,标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号,但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度;

■DInAs3800-TE配合DCS300PA数据采集系统使用时,由于DCS300PA双通道已集成信号放大器,故可不再需要另行选配前置放大器;

■制冷型DInAs3800-TE砷化铟探测器,使用在制冷模式时须使用温控器(型号:ZTC)进行降温控制,ZTC型提供二级制冷功率,不可调整。

■DInAs3800-TE内装进口TE制冷型探测元件。

型号列表及主要技术指标:

型号/参数DInAs3800-TE

光敏面直径(mm)2

波长范围(µm)1-3.8

峰值响应度(A/W)1.5

D*(@λpeak,1KHz)cmHz1/2W-19.1×1012

NEP(@λpeak,1KHz)pW/Hz1/24.4

温控器型号ZTC

探测器温度(℃)-40

温度稳定度(℃)±0.5

信号输出模式电流输出

信号极性正(P)

制冷模式时须使用温控器(型号:ZTC)

推荐使用前置放大器型号:ZAMP  

北京卓立汉光仪器有限公司

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