产品描述
OPTM 系列显微分光膜厚仪
头部集成了薄膜厚度测量所需功能
通过显微光谱法测量高精度绝对反射率（多层膜厚度，光学常数）
1点1秒高速测量
显微分光下广范围的光学系统（紫外至近红外）
区域传感器的安全机制
易于分析向导，初学者也能够进行光学常数分析
独立测量头对应各种inline客制化需求
支持各种自定义
OPTM 系列显微分光膜厚仪选型表
| OPTM-A1 | OPTM-A2 | OPTM-A3 | |
|---|---|---|---|
| 波長范围 | 230 ~ 800 nm | 360 ~ 1100 nm | 900 ~ 1600 nm |
| 膜厚范围 | 1nm ~ 35μm | 7nm ~ 49μm | 16nm ~ 92μm |
| 测定时间 | 1秒 / 1点 | ||
| 光斑大小 | 10μm (*小约5μm) | ||
| 感光元件 | CCD | InGaAs | |
| 光源規格 | 氘灯+卤素灯 | 卤素灯 | |
| 电源規格 | AC100V±10V 750VA（自动样品台规格） | ||
| 尺寸 | 555(W) × 537(D) × 568(H) mm (自动样品台规格之主体部分) | ||
| 重量 | 约 55kg（自动样品台规格之主体部分） | ||
测量项目：
绝对反射率测量
多层膜解析
光学常数分析（n：折射率，k：消光系数）
测量示例：SiO 2 SiN [FE-0002]的膜厚测量
半导体晶体管通过控制电流的导通状态来发送信号，但是为了防止电流泄漏和另一个晶体管的电流流过任意路径，有必要隔离晶体管，埋入绝缘膜。 SiO 2（二氧化硅）或SiN（氮化硅）可用于绝缘膜。 SiO 2用作绝缘膜，而SiN用作具有比SiO 2更高的介电常数的绝缘膜，或是作为通过CMP去除SiO 2的不必要的阻挡层。之后SiN也被去除。 为了绝缘膜的性能和精确的工艺控制，有必要测量这些膜厚度。
