发布时间:2023年03月
印刷电路板(PCB)简介
印制电路板的英文名称为:The Printed Circuit Board,通常缩写为:PCB。在电子产品中,印制电路板的主要功能为支撑电路元件和互连电路元件,即支撑和互连两大作用。
电子设备采用印制板后,由于同类印制板的一致性,从而避免了人工接线的差错,并可实现电子元器件自动插装或贴装、自动焊锡、自动检测,保证了电子设备的质量,提高了劳动生产率、降低了成本,并便于维修。
使用到显微镜检测的PCB工艺流程
扫描电镜在PCB行业主要用于 失效分析 和表面分析
1.芯片键合失效/缺陷分析
在半导体芯片失效的分众多检测手段中,扫描电镜(SEM)在管芯/封装裂缝、管芯粘合失效/缺陷、键合失效/缺陷、线缺陷/断裂、引脚失效/缺陷、管芯/封装表面存异物、管芯表面缺陷、密封裂缝/缺陷等方面的检测中起着重要作用;
引线键合是将半导体芯片焊区与引线框架或基板上的金属布线焊区用金属细丝连接起来的封装工艺技术。扫描电镜可观测引线脚、引线和铝层焊接裂缝、键合线裂缝、芯片基体被污染情况(如引线和铝层一起脱落)等。
2.Ni/Au镀层—镍腐蚀失效分析
PCB上用镀镍来作为贵金属和贱金属的衬底镀层,对某些单面印制板,也常用作面层。对于重负荷磨损的一些表面,如开关触点、触片或插头金,用镍来作为金的衬底镀层,可大大提高耐磨性;
镍镀层厚度一般不低于2.5微米,通常采用4-5微米。用扫描电镜可观测Ni镀层质量,Ni镀层是否被腐蚀,腐蚀深度等。
3.集成电路失效分析
集成电路是汽车和飞机中最重要部件之一,轻微的污染和工艺参数的改变都会导致这些器件的失效,分析失效的原因是产品质量保证最重要的步骤;
电路的夹杂和缺陷是必须分析和鉴别的,通过更加深入详细地切片和薄片分析是行之有效的失效分析方法;利用聚焦离子束(FIB)可制作透射电镜薄片样品
4.表面分析——PCB板内电镀铜性能分析(晶体结构)
在印刷线路板(PCB)中,板内的电镀铜起到信号传输的作用,它的延展性和抗拉强度直接关系到产品质量与使用寿命等问题
电镀铜的晶体结构是和它本身的物理特性是相关的,通过观察电镀铜晶体结构可以知道电镀铜的性能是否好,电镀的工艺是否满足要求;
质量好的电镀铜:晶粒多边形,尺寸2-6um,无晶界缺陷,有一定数量孪晶
质量差的电镀铜:晶粒尺寸小于1um,延展性差,晶型为柱状晶;
用扫描电镜可观测电镀铜的质量。
5.覆铜板制作-电解铜箔表面晶粒结构观察
电解铜箔是覆铜板(CCL)及印制电路板(PCB)制造的重要的材料。
厚度为5μm 和9μm 的薄铜箔通过电化学的方法在其表面进行微结构的生成和处理,从而在制作覆铜板时候提高铜箔的粘合力,避免铜箔脱落和接触不好;
目前电解铜箔添加剂的配方很多,不同的配方可以调整出不同的产品晶粒结构,晶粒结构需要扫描电镜来观察。如观测铜箔M面。
6.多层PCB板内层黑氧化表面微观形貌
黑化的作用:钝化铜面;增强内层铜箔的表面粗化度,进而增强环氧树脂与内层铜箔之间的结合力;。
一般内层黑氧化处理方法有:
1.棕氧化法
2.黑氧化处理
3.低温黑化法
采用高温黑化法内层板会产生高温应力(thermal stress)可能会导致层压后的层间分离或内层铜箔的裂痕。用扫描电镜可观测各种处理后的表面微观形貌。
SEM4000Pro是一款分析型热场发射扫描电子显微镜,配备了高亮度、长寿命的肖特基场发射电子枪。三级磁透镜设计,束流最大可达200 nA,在EDS、EBSD、WDS等应用上具有明显优势。标配低真空模式,以及高性能的低真空二次电子探测器和插入式背散射电子探测器,可观察导电性弱或不导电样品。标配的光学导航模式,以及直观的操作界面,让您的分析工作倍感轻松。
超高分辨率(0.9 nm@30 kV)
低真空模式(180 Pa)
三级磁透镜设计
200 nA大束流(选配)
机械优中心样品台
快速换样仓(最大8寸)
01配备高亮度、长寿命的肖特基热场发射电子枪
02分辨率高,30 kV 下优于 0.9 nm 的极限分辨率
03三级磁透镜设计,束流可调范围大,最大支持 200 nA 的分析束流
04无漏磁物镜设计,可直接观察磁性样品
05标配低真空模式,以及高性能的低真空二次电子探测器和插入式背散射电子探测器
06标配的光学导航模式,中文操作软件,让分析工作更轻松
水菜花花粉/低真空70 Pa/10 kV/LVD
金属断口/10 kV/ETD
金属断口/15 kV/ETD
PA-玻纤复合材料/10 kV/BSED
芯片/5 kV/ETD
银浆/1 kV/ ETD
关键参数 | 高真空分辨率 | 0.9 nm @ 30 kV,SE |
低真空分辨率 | 2.5 nm @ 30 kV,BSE,30 Pa | |
1.5 nm @ 30 kV, SE, 30 Pa | ||
加速电压 | 200 V ~ 30 kV | |
放大倍率 | 1 ~ 1,000,000 x | |
电子枪类型 | 肖特基热场发射电子枪 | |
样品室 | 真空系统 | 全自动控制 |
低真空模式 | 最大180 Pa | |
摄像头 | 双摄像头 | |
(光学导航+样品仓内监控) | ||
行程 | X=110 mm,Y=110 mm,Z=65 mm | |
T: -10°~+70°,R: 360° | ||
探测器和扩展 | 标配 | 旁侧二次电子探测器(ETD) |
低真空二次电子探测器(LVD) | ||
插入式背散射电子探测器(BSED) | ||
选配 | 能谱仪(EDS) | |
背散射衍射(EBSD) | ||
插入式扫描透射探测器(STEM) | ||
样品交换仓 | ||
轨迹球&旋钮控制板 | ||
软件 | 语言 | 中文 |
操作系统 | Windows | |
导航 | 光学导航、手势快捷导航 | |
自动功能 | 自动亮度对比度、自动聚焦、自动像散 |