半导体所新材料领域2007年立项课题通过验收

　　验收会现场

　　4月7日至8日，“十一五”863计划新材料领域2007年立项专题课题验收会召开，本次会议对中科院半导体研究所新材料领域立项的11个课题进行验收。科技部高技术中心副主任刘燕美、材料处处长史冬梅及项目主管苏小虎出席了验收会；验收会专家组组长为北京邮电大学任晓敏教授，副组长为清华大学潘峰教授，成员包括北京大学沈波教授、北京交通大学延凤平教授、吉林大学王一丁教授、上海微系统所科技处长程建功研究员、武汉邮科院北京分院余建国高工等；半导体所所长李晋闽、副所长陈弘达等参加了验收会。

　　此次验收的11个课题分别为：太阳盲GaN基紫外探测器阵列、硅基氮化镓厚膜衬底材料制备研究、基于光子晶体慢光效应的适于光子集成的微纳光放大器的研制、基于晶片键合和光子晶体波导结构的垂直腔面发射激光器的研究、1.55微米InGaNAs材料与激光器、320×256中/长波双色大面阵量子阱红外探测器、单片集成多波长分布反馈半导体激光器阵列、宽带波长可控半导体激光器与半导体光放大器的单片集成、基于纳米线平面光集成ROADM关键器件研究、波长可控垂直腔型半导体收发集成芯片研究、生长温度周期调制MOCVD法制备ZnO材料及发光器件研究。

　　与会专家认真听取了各课题组关于“十一五”期间的研究进展、合同执行情况、指标完成情况以及经费管理和使用情况的汇报，经过充分的答辩与讨论，专家组形成验收意见，所有课题通过验收。在验收的11项课题中，有些课题组不仅完成了合同规定的研究目标和研究内容，而且继续对课题进行了深入探索，超额完成了研究任务；但是少数课题组在科研过程管理方面依然存在着重申请、轻完成的问题。

　　刘燕美对此次验收会做了总结，对半导体所“十一五”863计划新材料领域2007年立项的专题课题取得的成绩给予了高度的肯定，同时希望半导体所全体科研人员在注重项目申请的同时，要严格按照合同实施项目，注重科研过程管理。