产品描述
外延生长级抛光锗基片
| 晶体材料 | Single Crystal Germanium, VGF /LEC grown, 高纯单晶 | |
| 晶向 | (1 0 0) / (1 1 1) | |
| 掺杂 | Ga | Sb / As |
| 直径 | 50.8 ± 0.25mm / 76.2± 0.25mm / 100.0 ± 0.4mm | |
| 厚度 | 325 ± 25um / 425 ± 25um / 500 ± 25um | |
| 晶向 | （ 100 ） α 0 ±β 0 , off angle α and accuracy β upon request | |
| 电阻率 | 0.8-40 Ω.cm | 0.25-50 Ω.cm |
| 迁移率 | ≥ 3000 cm 2 / V·sec | N / A |
| 掺杂浓度 | N / A | (0.1-3.0)×10 18 /cm 3 |
| 腐蚀缺陷密度 | ≤ 2·10 3 cm -2 | ≤ 5·10 2 cm -2 |
| 主定位边 | (0-1-1)±0.5 deg, 16±1.0mm /22±1.0mm/32.5±1.0mm | |
| 次定位边 | (0-1 1) )±5.0 deg, 8±1.0mm / 11±1.0mm /18±1.0mm | |
| 正面 | Polished in Epi-ready Prime grade, 外延生长级抛光 | |
| 反面 | Polished / Lapping or etched, 抛光 / 研磨或腐蚀 | |
| 包装 | N2 filled ， cassette / fluoroware, 25pcs / single piece, 100级洁净室真空冲氮包装,25片卡盒/单片币式 | |
