产品描述
红外辐射源，TO 39芯片在接头上
适用于所有NDIR气体分析应用的接头上的IR发射器芯片
•高调制频率
•高辐射功率
•使用寿命长
描述
用于NDIR气体分析和其他红外测量应用的红外辐射源。MEMS红外发射器的高性能薄膜由纳米非晶碳组成，其薄膜温度高达850°C。它可以实现长期稳定的高辐射输出。作为芯片上的接头，IR发射器可以在TO封装上进行单独处理。
技术指标
型号 | JSIR350-4-AL-C-D0.0-0-0 |
项目编号 | 6355.00-0.01 |
套管 | TO39 |
附加装置 | Nein |
窗口/滤光片 | Nein |
填充气体 | Nein |
有效区域[mm²] | 2.2 x 2.2 |
能量消耗 | Normal |
