应用领域：电力，新能源，功能材料，电子/电器/半导体，汽车/铁路/船舶/交通，航空/航天，纳米材料，高分子材料
资料类型：标准
方案摘要
| 品牌 | 产地 | 型号 | 特点 |
| Micro Resist | 德国 | mr-I 7000E系 纳米压印光刻胶 | Tg = 60℃ 优异的成膜质量 由于高效的流动性和快速压印从而缩短整个工艺时间 压印温度125 - 150℃，压印压力20 - 50 bar Plasma刻蚀阻抗性能优于PMMA 可获得优于50 nm的分辨率（取决于模版分辨率） |
| mr-I 8000E系列 | Tg = 115℃ 优异的成膜质量 由于高效的流动性和快速压印从而缩短整个工艺时间 压印温度170 - 190℃，压印压力20 - 50 bar Plasma刻蚀阻抗性能优于PMMA 可获得优于50 nm的分辨率（取决于模版分辨率） | ||
mr-I PMMA 35k/75系列 | Tg = 105℃ 优异的成膜质量 低分子量从而实现高效的流动性 压印温度150 - 180℃，压印压力50 bar 可获得优于50 nm的分辨率（取决于模版分辨率） | ||
| mr-I T85系列 | Tg = 85℃ 优异的成膜质量 压印温度140 - 170℃，压印压力大于5 bar Plasma刻蚀阻抗性能优于传统的Novolak基光胶 非极化热塑性、具有优异的紫外和光学透过率，高化学稳定性 可获得优于50 nm的分辨率（取决于模版分辨率） | ||
| mr-I 9000E系列 | 热固化之前Tg = 35℃ 优异的成膜质量 接近等温加工处理 n 压印温度120℃ n 脱模温度100℃ 压印时温度从Tg到Tg，Cured增加并固化 非常低的残余胶层厚度低至5 nm Plasma刻蚀阻抗性能优于传统的Novolak基光胶 可获得优于50 nm的分辨率（取决于模版分辨率） | ||
| mr-NIL 6000系列 | 光化学固化之前Tg = 40℃ 优质的固体光胶薄膜 接近等温加工处理：压印、紫外曝光固化，压印与脱模在同一温度下进行 非常低的残余胶层厚度低至10 nm 图案转移时高保真度 Plasma刻蚀阻抗性能优于传统的Novolak基光胶 可获得优于50 nm的分辨率（取决于模版分辨率） 宽带或i线曝光 | ||
mr-UVCur06 纳米压印光刻胶 | 旋涂使用 优质的成膜质量和胶厚均一性 室温加工处理 由于快速地填充模版孔隙从而缩短工艺时间 低剂量紫外曝光快速固化 可获得优于30 nm的分辨率（取决于模版分辨率） Plasma刻蚀高阻抗性能 O2 Plasma刻蚀可无残余去除 宽带或i线曝光 |
