随着摩尔定律的发展逼近极限，3D封装技术对于半导体器件性能的提高越来越重要。3D封装器件失效分析面临的挑战是如何暴露出深埋的内部连接、倒装芯片和焊点等结构。

TESCAN将高通量 i-FIB+TM Xe  等离子 FIB镜筒与 Triglav TM UHR  电子镜筒配对，以扩展 FIB 在物理失效分析的极限，实现了超大宽度和深度横截面加工的技术突破。Xe 等离子FIB充分满足了3D封装物理失效分析的无机械应力，定点加工和快速制备大尺寸截面等要求。

9月2日，15点，来自TESCAN半导体研发实验室的专家将为大家介绍如何使用更高效的工具和手段来增加半导体失效分析任务中的通量和灵活性。（报告期间有中文翻译）

·精彩看点·

1. 从专业视角解读如何通过超大面积和深度的截面加工助力先进封装、微机电器件和光电集成产品的分析检测工作

2. 无Ga 污染TEM样品制备、小于10 纳米制程芯片的高质量逐层剥离（delayering），和大尺度晶圆导航观测，以实现微电子器件的高集成度、高密度和小型化。

如果你是失效分析实验室工程师、第三代半导体产线研发工程师、设计工程师，或者正在学习相关专业课程，都欢迎你加入我们的直播，与技术专家在线交流。

·直播时间·

9月2日，15:00-16:00

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·讲师介绍·

Lukas Hladik 

TESCAN失效分析半导体研发实验室，产品经理

多年从事全球半导体行业失效分析检测研究工作。获得物理工程和纳米技术硕士学位后，于2012年加入TESCAN ORSAY HOLDING，担任Plasma FIB-SEM的应用专家，专注于FIB-SEM、表征和去层/电子探针解决方案。

9月2日15:00

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领域：电子/电器/半导体