ATT1000是针对激光测距做了专门优化设计的雪崩二极管（APD）。它具有高速响应、高增益、低结电容和低噪声等特点，非常适合于激光测距和雷达等应用
特征：
  高速响应、高增益、低结电容、低噪声
  正照平面型芯片结构
  可选的230μm和500μm光敏面
  陶瓷贴片封装
  内置滤波片（635nm窄带）和白玻窗可选
典型应用：
  激光测距
  激光告警
  激光雷达
1.最大额定值参数
名称  符号  最小值  最大值  单位
工作温度  TOP  —20  85℃
储存温度  Tstg  —55  125℃
工作电压  Vop  0.9×VBRV
焊接温度  Stemp  260℃
耗散功率  Pd  1mW
正向电流  If  1mA
2.光电性能（@Tc=22±3℃）
特性参数  符号  测试条件  最小  典型  最大  单位
光谱响应范围  λ  —  400  1100nm
光敏面直径  φ  —  200（1）、500（2）μm
响应度  Re  λ=800nm,φe=1μW,M=10.5A/W
响应时间  tSf=1MHz,RL=50Ω,λ=800nm  0.3ns
暗电流  ID  M=100  0.02（1）  0.05（1）  0.4（1）nA  0.05（2）  0.1（2）  0.5（2）
总电容  Ctot  M=100,f=1MHz  1.5（1）pF  3（2）
最适宜的放大倍数  M  100
反向击穿电压  VBR  IR=10uA  80  200V
工作电压温度系数  δTc  —40℃～85℃  0.5（1）  V/℃  0.5（2）
注：
  （1）为光敏面φ230μm器件之参数
  （2）为光敏面φ500μm器件之参数
         图30V光谱响应曲线