产品简介
该产品使用近红外640×512红外焦平面读出电路芯片和近红外640×512红外焦平面元光敏芯片倒焊互联。这样可以实现对探测器信号的积分、存储和输出。光敏芯片采用背照射结构，中间距为25×25um2。电路工作模式为先积分后读出，读出速率（PixelRate）在20KHz至10MHz之间。初次调试驱动波形时，建议时钟采用500KHz。性能参数如下：
器件规模：近红外640×512红外焦平面像元
尺寸/um：225×25
像元中心距/um：25
光谱响应/um：0.9～1.7
功耗/mW：100
峰值探测率/cmHz1/2/W：≥1×1012@5℃,1.55μm
峰值量子效率/%：≥80@1.55μm
满阱容量/Me：-0.6
动态范围/dB：≥60
工作温度范围/℃：-20～60
贮存温度范围/℃：-40～70