产品概述：
常温型铟镓砷探测器（常温型InGaAs探测器）
● DInGaAs1650型内装国产InGaAs元件
● DInGaAs1700-R03M型内装进口InGaAs元件
● DInGaAs2600-R03M型内装进口大面积InGaAs元件
光谱响应度曲线参考图
常温型铟镓砷探测器型号列表及主要技术指标：
型号/参数 DInGaAs1650 DInGaAs1700-R03M DInGaAs2600-R03M
光敏面直径(mm) 3 3 3
波长范围(nm) 800-1700 800-1700 800-2600
峰值响应度(A/W,*小) 0.85 0.9 1.1
暗电流(nA,*大) 200 100 1mA
NEP(典型值) 1.2×10^-13 6.5×10^-12
阻抗(MΩ) 11.5 32 20
电容(pF) 1500 800 9000
响应时间(ns) 160 100 1μs
信号输出模式 电流 电流 电流
输出信号极性 正（P） 正（P） 正（P）