发布时间：2023年12月
产品描述
测试种类：Si（SiC/GaN）IGBT , Diode , MOSFET（选配BJT）
输出能力：电压最大1200V（选配2000V）；电流最大100A（可扩展200A/300A/500A）
测试参数：开关特性;栅极特性Qg;反恢特性Qrr_FRD;栅极阻容特性和短路雪崩特性可选配
工作模式：程控脉冲测试
高压源：1200V（选配 2000V）
高流源：100A（选配 200A/300A/500A）
驱动电压：±20V（选配±30V）
时间分辨率：1ns（选配 400ps/200ps/100ps）
系统杂感：＜20nH
测试对象：Si（SiC/GaN）IGBT , Diode , MOSFET（选配BJT）
变温测试：常温~150℃/200℃
感性负载：程控电感（0.01~160mH，步进10uH）
阻性负载：程控电阻（1Ω,2Ω,5Ω,10Ω,50Ω）备用三个
测试管型：可以测试N沟道和P沟道的IGBTs , MOSFETs
测试标准：IEC60747-9/IEC60747-2，GB/T29332/GB/T4023
1、主机 1台
2、工控电脑（内置） 1台
3、测试夹具 1只（可选配）
4、电源线 1根
5、通信线 1根
6、说明书 1份
7、合格证 1份
8、保修卡 1份
