技术参数

系统主要由蒸发真空室、E型电子枪、热蒸发电极、旋转基片加热台、工作气路、抽气系统、真空测量、电控系统及安装机台等部分组成。

　　技术指标：

　　极限真空度：≤6.7×10 Pa

　　恢复真空时间：从1×10 Pa抽至5×10 Pa≤20min

　　系统漏率：6. 7×10^-7Pa.L/S；

　　真空室：真空室500x500 x600mm采用U型箱体前开门，后置抽气系统e型电子枪：阳极电压：6kv、8kv(1套)

　　坩埚：水冷式坩埚，四穴设计，每个容量11ml

　　功率：0-6KW可调

　　电阻蒸发源(可选)

　　电压：5、10V

　　功率：电流300A，输出功率3Kw1套，可切换水冷电

　　极3根，组成2个蒸发舟

　　基片尺寸：可放置4″基片

　　样品台：基片可连续回转，转速5-60转/分基片与蒸发源之间距离300-350mm加热温度 ≤800°C±1°C，可调手动控制样品挡板组件1套

　　气路系统：质量流量控制器1路

　　石英晶振膜厚控制仪：监测膜厚显示范围：0-99μ9999?