产品名称: | 硅(Si)晶体基片
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产品简介: | 化学符号为Si,主要用途有:制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料。
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技术参数: | 掺杂物质:掺B掺P类型:P N电阻率Ω.cm:10-3 ~ 4010-3 ~ 40EPD (cm-2 ):≤100≤100氧含量( /cm3 ):≤1.8 x1018≤1.8 x1018碳含量( /cm3 ):≤5x1016≤5x1016
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常规规格: | 晶体方向:<111>、<100>、<110> ± 0.5° 或 特殊的方向; 常规尺寸:dia1"x 0.30 mm;dia2"x0.5mm;dia3"x0.5mm;dia4"x0.6mm; 表面粗糙度:Ra<10A 可提供热氧化SiO2层的Si片;Si+SiO2+Ti+Pt的基片!欢迎您的咨询! |