砷化铟(InAs)晶体基片
价格:面议

砷化铟(InAs)晶体基片

产品属性

  • 品牌合肥科晶
  • 产地安徽
  • 型号砷化铟(InAs)晶体基片
  • 关注度36
  • 信息完整度
  • 供应商性质生产商
  • 产地类别国产
  • 价格范围1-1万
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产品描述

产品名称:

砷化铟(InAs)晶体

产品简介:


技术参数:

晶体结构:立方  a =5.4505 ?生长方法:CZ导电类型:N型掺杂类型:不掺杂载流子浓度:2 ~ 5E16 / cm3 迁移率:>18500cm2/V.S 

 

常规尺寸:

常规晶向:<100>、<111>;

常规尺寸:10x10x0.5mm;

dia2″x0.5mm;抛光情况:单抛或双抛;

表面粗糙度Ra:<15A

注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。

备注:

1000级超净室100级超净袋


合肥科晶材料技术有限公司

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