产地：美国； 品牌：合肥科晶
产品名称：
DOI（低阻金刚石薄膜Diamond?on?Oxide）
产品参数：
基底尺寸： dia4"x0.5mm
Si晶向：<100>±0.5°
绝缘层：SiO2
薄膜厚度：2um
氧化层：1um
电阻率：<0.1 ohm-cm
标准包装：
1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒装
天然六方氮化硼单晶BN
二维材料--黑磷
超磁致伸缩材料--GMM
PET薄膜
导电型石墨烯
Ni基底石墨烯
产品描述
