产品简介：

Si片外延AlN膜是通过HVPE方法生长，其实验衬底效果已日渐取代AlN单晶基片

技术参数：

AlN厚度：200nm ±10%,

 单面镀膜正面： <2nm RMS,    as-grown背面：silicon as receivedAlN晶向：(00.2)     

 宏缺陷密度：<10/cm^2

薄膜衬底：Si [111] N type,  dia 4"  x0.5 mm, 

电阻res: 1~10 ohm-cm, 单抛

常规尺寸：

dia 4" x0.5 mm,单抛；

标准包装：

1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装