氮化镓(GaN)薄膜
价格:面议

氮化镓(GaN)薄膜

产品属性

  • 品牌合肥科晶
  • 产地安徽
  • 型号氮化镓(GaN)薄膜
  • 关注度56
  • 信息完整度
  • 供应商性质生产商
  • 产地类别国产
关闭
产品描述

产品名称:

氮化镓(GaN)薄膜

产品简介:

氮化镓Epitxial范本saphhire是提出了氢化物气相外延(HVPE)的方法。在HVPE过程中,盐酸反应生成GaCl,而这又与氨反应生成氮化镓熔镓。外延GaN的模板是成本效益的方法,以取代氮化镓单晶基板。

 

 

 

 

技术参数:

 

 

 

 

 

常规尺寸dia50.8±1mm  x 4um,10-25um.dia100±1mm  x 4um,10-25um. <0001>±1° N型

注:可按客户需求定制特殊堵塞方向和尺寸。

产品定位C轴<0001>±1°

传导类型N型;半绝缘型;P型

电阻率R<0.05 Ohm-cm;半绝缘型R>106 Ohm-cm

位错密度<1x108 Cm-2

表面处理(镓面)AS Grown

有效值<1nm

可用表面积>90%

标准包装:

1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装


合肥科晶材料技术有限公司

推荐产品
店铺 已收藏
咨询留言 一键拨号