产品参数：

薄膜生长方法：MOCVD deposition

基底参数：N型掺S, InP:S [100]±0.5°, Nc=~5E18/cc 

薄膜InP：1um 厚；N型掺Si；Nc=~5E15/cc

薄膜In0.53Ga0.47As：3.0±0.5μm 厚； N型不掺杂, Nc=1E15-1E16/cc  

薄膜InP(top)：1um thick InP film, N型掺Si, Nc=1E15-1E16/cc 

常规尺寸：

dia3” x650±25um

标准包装：

1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒装