CVP21的净室和模块化的系统设计结构使得本系统可以高效率，准确的测量半导体材料（结构，层）中的掺杂浓度分布．选用合适的电解液与材料接触，腐蚀，从而得到材料的掺杂浓度分布。电容值电压扫描和腐蚀过程由软件全自动CVP21的系统特点
• 坚固可靠的模块化系统结构 ．光学，电子和化学部分相对独立．
• 精确的测量电路模块
• 强力的控制软件，系统操作，使用简便
• 完善的售后服务体系

特别推荐晶硅太阳能电池研究单位使用
知名用户:
(Shin-Etsu SEH or ISFH)In the field of solar cell research, the CVP21 system is currently being used at many research centres. It was first used in 1999 by the Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems (ISE) in Freiburg, Germany, and since then it has been installed at the Institute for Molecules and Materials (IMM) in Nijmegen, The Netherlands, the RWE Space Solar Power GmbH in Heilbronn, Germany, the Hahn-Meitner-Institute (HMI) in Berlin, Germany, and the Institute for Solar Energy Research (ISFH) in Hamelin/Emmerthal, Germany.
在德国和日本都有很多太阳能电池用户使用,鉴于商业保密需要不能公开。

产品完美结合我们在电化学方分布测试方面超过３０年的经验和世界上最先进的电路系统。　

全自动，　特别适用于新材料，　如氮化镓，　碳化硅材料，多晶硅等等。　
有效检测:

• •外延材料

• •扩散

• •离子注入

适用材料:  CVP21应用范围宽，可以用于绝大多数的半导体材料。

• IV族化合物半导体如：硅(Si)、锗(Ge)、碳化硅(SiC)等…

• III-V族化合物半导体如：砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)等…

• 三元III-V族化合物半导体如：铝镓砷(AlGaAs)、镓铟磷(GaInP)、铝铟砷(AlInAs)等…

• 四元III-V族化合物半导体如：铝镓铟磷(AlGaInP)等…

• 氮化物如：氮化镓(GaN)、铝镓氮(AlGaN)、铟镓氮(InGaN)、铝铟氮(AlInN)等…

• II-VI族化合物半导体如：氧化锌(ZnO)、碲化镉(CdTe)、汞镉碲(HgCdTe)等…

• 其他不常见半导体材料(可以联系我们进行样品测量)。

载流子浓度测量范围:

• •最大 10²¹/cm³

• •最小 10¹¹/cm³

深度解析度:

• •最大无上限

• •最小可至1 nm （或更低）

模块化系统结构:

• •拓扑型结构

• •实时监控腐蚀过程

• •适于微小样品及大尺寸的晶圆

全自动化系统:

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精密的电路，电子系统

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强力的软件