世界顶级原位薄膜应力测量系统，又名原位薄膜应力计或原位薄膜应力仪！MOS美国专利技术！曾荣获2008 Innovation of the Year Awardee！

采用非接触激光MOS技术；不但可以精确的对样品表面应力分布进行统计分析，而且还可以进行样品表面二维应力、曲率成像分析；客户可自行定义选择使用任意一个或者一组激光点进行测量；并且这种设计始终保证所有阵列的激光光点始终在同一频率运动或扫描，从而有效的避免了外界振动对测试结果的影响；同时大大提高了测试的分辨率；适合各种材质和厚度薄膜应力分析；

该设备已经广泛被全球著名高等学府（如：Harvard University 2套，Stanford University，Johns Hopkins University，Brown University 2套，Karlsruhe Research Center,Max Planck Institute，西安交通大学，中国计量科学院等）、半导体制和微电子造商（如IBM.，Seagate Research Center,Phillips Semiconductor,NEC，Nissan ARC,Nichia Glass Corporation）等所采用； 

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薄膜应力仪（薄膜应力测量仪）：为独立测量系统，同样采用先进的MOS技术，详细信息请与我们联系。

薄膜应力测量系统，薄膜应力测试仪，薄膜应力计，薄膜应力仪，Film Stress Tester, Film Stress Measurement System;

1.薄膜应力测量范围：5×105到4*1010dynes/cm2（或者5×104Pa to 4×109Pa）；

2.薄膜应力测量分辨率：优于0.1MPa;

3.测量精度：优于±0.1%；

4.测量重复性：优于0.1%；

5.平均曲率分辨率：< 2e-5 (1/m) 1-sigma (50km radius) 1-sigma；

1.程序化控制测量模式；

2.实时原位成像功能：样品表面2D曲率成像，定量薄膜应力成像分析； 

3.实时原位测量功能：曲率、曲率半径、薄膜应力、应力—薄膜厚度曲线、多层薄膜应力测量分析等；

4.可装在各种真空沉积设备或表面处理设备上（如：MBE, MOCVD, sputtering, PLD, PECVD, and annealing chambers ects）；