技术参数：

1.分辨率:

　二次电子:

　　高真空模式 3.0nm @ 30kV, 8nm @ 3kV

　　高真空减速模式 7nm @ 3kV (可选项)

　　低真空模式 3.0nm @ 30kV, 10nm @ 3kV

　　环境真空模式 3.0nm @ 30kV

　背散射电子 4.0nm @ 30kV

2.样品室压力最高达2600Pa

3.加速电压200V ～ 30kV，连续调节

4.样品台移动范围

　Quanta 250: X=Y=50mm

　Quanta 450: X=Y=100mm

　Quanta 650: X=Y=150mm

主要特点：

1.FEI ESEM技术, 可在高真空、低真空和环境真空条件下对各种样品进行观察和分析。

2.所有真空条件下的二次电子、背散射电子观察和微观分析。

3.先进的系统结构平台，全数字化系统。

4.可同时安装能谱仪、波谱仪和EBSP系统。

5.可安装低温冷台、加热台、拉伸台等进行样品的原位、动态观察和分析。