设备规格： 

1.全自动操作模式，Robot自动上片取片、RFID识别； 

2.双腔体生产模式，单个腔体适应于 2英寸-12英寸 晶圆，支持(300mmx300mm)     样品；

 3.退火温度范围 300℃-1000℃；

 4.升温速率 ≦100℃/sec(裸片)；

 5.温度均匀性 ≦±1%；

 6.真空腔体（可选配常压腔体或正压腔体）；

 7.冷却方式包括水冷和氮气吹扫；

 8.MFC控制，3-5路制程气体；

工艺应用:

快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)；

离子注入/接触退火；

高温退火；

高温扩散。

金属合金；

热氧化处理；

应用领域：

化合物半导体（砷化镓、氮化物、碳化硅等）；

多晶硅；

太阳能电池片；

MEMS；

功率器件；

IC晶圆；

LED晶圆。