用四探针测量电阻率，可以避免电极接触电阻对测量结果的影响，因此在国内外早已被广泛用来测量金属、半导体、导电高分子材料的电阻率。另外本仪器还在四探针样品台两侧加上亥姆霍兹线圈，用其提供一个可调磁场，用来测量磁性金属薄膜的磁电阻率。
用途：
（1） 金属、半导体、导电高分子薄膜（块体）电阻率的测量；
（2） 金属薄膜材料电阻率的测量（zei大厚度0.2毫米）；金属材料电阻率的测量（zei大厚度6毫米）
（3） 磁性合金薄膜的磁电阻测量；
（4） 铁磁/非磁性/铁磁三层或多层薄膜的磁电阻测量；
（5） 自旋阀型巨磁电阻薄膜、隧道结型巨磁薄膜的磁电阻测量。

仪器组成：
1、 亥姆霍兹线圈
由亥姆霍兹线圈提供磁场，线圈可在360度范围内绕样品旋转；
四探针组件是由具有引线的四根探针组成。
2、 SB118精密直流电流源
输出电流在10-6~0.2安培范围内可调
3、 直流数字电压表
具有6位半字长、0.1微伏电压分辨率的带单片微机处理技术的高精度电子测量仪器。
4、 直流磁场电源
输出电流在0~10安培