发布时间：2023年03月
产品描述
SEM4000Pro是一款分析型热场发射扫描电子显微镜，配备了高亮度、长寿命的肖特基场发射电子枪。三级磁透镜设计，束流大且连续可调，在EDS、EBSD、WDS等应用上具有明显优势。支持低真空模式，可直接观察导电性弱或不导电样品。标配的光学导航模式，以及直观的操作界面，让您的分析工作倍感轻松。
功率器件分析
扫描电镜可以对器件的尺寸和一些重要的物理参数进行分析，如结深、耗尽层宽度少子寿命、扩散长度等等，也就是对器件的设计、工艺进行修改和调整。
扫描电镜二次电子像可以分析器件的表面形貌，结合纵向剖面解剖和腐蚀，可以确定PN结的位置、结的深度。
利用扫描电镜束感生电流工作模式，可以得到器件结深、耗尽层宽度、MOS管沟道长度，还能测量扩散长度、少子寿命等物理参数。
对于1nm以下的短沟道器件检测，可用类似于测量耗尽层宽度的方法，电子束对MOS场效应管进行扫描，得到二条柬感生电流曲线，就可得知此场效应管的沟道长度。
举例
功率半导体器件的电性失效分析
●定位目标区域：扫描电镜可准确定位到各种不同的缺陷位置。
●穿透金属层制备样品成像。
●纳米探测进一步定位缺陷位置: 如果在PFIB除层步骤中缺陷没有暴露，将会使用纳米探测进行进一步定位。使用扫描电子显微镜(SEM)可进行纳米探测。电流-电压曲线的异常会揭示缺陷位置，并指出对缺陷位置进行物性失效分析(PFA)检测所需的材料体积。
功率半导体器件的物性失效分析
●表征导致失效的微观结构: 双束扫描电镜使用两种可能的方法来制备样品。
●切片和成像: 该技术涉及一系列的聚焦离子束（FIB）切割，通过SEM 成像切割材料，直到发现缺陷。
在碳化硅绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中显现的掺杂剂
超高分辨率（0.9 nm@30 kV）
低真空模式（180 Pa）
三级磁透镜设计
200 nA大束流（选配）
机械优中心样品台
快速换样仓（最大8寸）
01配备高亮度、长寿命的肖特基热场发射电子枪
02分辨率高，30 kV 下优于 0.9 nm 的极限分辨率
03三级磁透镜设计，束流可调范围大，最大支持 200 nA 的分析束流
04无漏磁物镜设计，可直接观察磁性样品
05标配低真空模式，以及高性能的低真空二次电子探测器和插入式背散射电子探测器
06标配的光学导航模式，中文操作软件，让分析工作更轻松
水菜花花粉/低真空70 Pa/10 kV/LVD
金属断口/10 kV/ETD
金属断口/15 kV/ETD
PA-玻纤复合材料/10 kV/BSED
芯片/5 kV/ETD
银浆/1 kV/ ETD
| 关键参数 | 高真空分辨率 | 0.9 nm @ 30 kV，SE |
| 低真空分辨率 | 2.5 nm @ 30 kV，BSE，30 Pa | |
| 1.5 nm @ 30 kV, SE, 30 Pa | ||
| 加速电压 | 200 V ~ 30 kV | |
| 放大倍率 | 1 ~ 1,000,000 x | |
| 电子枪类型 | 肖特基热场发射电子枪 | |
| 样品室 | 真空系统 | 全自动控制 |
| 低真空模式 | 最大180 Pa | |
| 摄像头 | 双摄像头 | |
| （光学导航+样品仓内监控） | ||
| 行程 | X=110 mm，Y=110 mm，Z=65 mm | |
| T: -10°~+70°，R: 360° | ||
| 探测器和扩展 | 标配 | 旁侧二次电子探测器（ETD） |
| 低真空二次电子探测器（LVD） | ||
| 插入式背散射电子探测器（BSED） | ||
| 选配 | 能谱仪（EDS） | |
| 背散射衍射（EBSD） | ||
| 插入式扫描透射探测器（STEM） | ||
| 样品交换仓 | ||
| 轨迹球&旋钮控制板 | ||
| 软件 | 语言 | 中文 |
| 操作系统 | Windows | |
| 导航 | 光学导航、手势快捷导航 | |
| 自动功能 | 自动亮度对比度、自动聚焦、自动像散 |
