晶体生长炉
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产品描述


主要特点:
升华法生产2英寸和3英寸,4H/6H碳化硅单晶,应用于光电技术,能源技术和高温电子技术。可实现各生产工艺参数的精确控制(温度,气体压力,气体组份)zei高温度2300摄氏度。
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