北京北京航空航天大学材料科学与工程学院
真空系统的作用是建立能确保电子光学系统正常工作、防止样品污染所必须的真空度。一般情况下,如果真空系统能提供1.33*10-2~1.33*10-3Pa(10-4~10-5mmHg)的真空度时,就可以防止样品的污染。如果真空度不足,除样品被严重污染外,还会出现灯丝寿命下降,极间放电等问题。
不同类型的扫描电镜对真空度的要求不尽相同,通常情况下,钨灯丝电镜要求保持优于10-4~10-5Pa的真空度;场发射电子枪系统通常要求10-7~10-8Pa的真空度。
样品室的真空度是有机械真空泵和分子泵来实现,电镜镜筒和灯丝室的真空度由离子泵来实现,先开机械泵预抽真空,达到所需真空度之后可以开机,在更换试样时,阀门会自动使样品室与镜筒部分隔开,更换灯丝时也可以将电子枪与整个镜筒隔开,这样保持镜筒部分真空不被破坏。
信号检测放大系统
样品在入射电子束作用下,会产生各种物理信号,有二次电子、背散射电子、特征X射线、阴极荧光和透射电子。信号检测放大系统的作用是检测样品在入射电子作用下产生的物理信号,再经视频放大,作为显像系统的调制信号。
不同的物理信号,要用不同类型的信号检测放大系统。信号检测放大系统大致可以分为三大类型,即电子检测放大系统、阴极荧光检测放大系统和X射线检测放大系统。
SEM3200是一款高性能、应用广泛的通用型钨灯丝扫描电子显微镜。拥有出色的成像质量、可兼容低真空模式、在不同的视场范围下均可得到高分辨率图像。
大景深,成像富有立体感。丰富的扩展性,助您在显微成像的世界中尽情探索。
SE\BSE\EDS\EBSD等
可快速定位目标样品和感兴趣区域
可实现全自动的采图和拼接,展示超大视野画面
在一个图像中观察到样品的成分和表面信息
双阳极结构设计,提升了低电压下的分辨率和成像质量
在低真空下提供样品表面细节和形貌,软件一键切换真空状态
(*为选配件)
直观反映整个视野的像散程度,通过鼠标点击清晰处,可快速调节像散至最佳。
一键聚焦,快速成像。
一键消像散,提高工作效率。
一键自动亮度对比度,调出灰度合适图像。
SEM3200软件支持一键切换SE和BSE的混合成像。可同时观察到样品的形貌信息和
成分信息。
拖动一条线,图像立刻“摆正角度”。
扫描电子显微镜不仅局限于表面形貌的观察,更可以进行样品表面的微区成分分析。
SEM3200接口丰富,除支持常规的二次电子探测器(ETD)、背散射电子探测器(BSED)、X射线能谱仪(EDS)外,也预留了诸多接口,如电子背散射衍射(EBSD)、阴极射线(CL)等探测器都可以在SEM3200上进行集成。
背散射电子成像模式下,荷电效应明显减弱,并且可以获得样品表面更多的成分信息。
镀层样品:
钨钢合金样品:
探测器设计精巧,灵敏度高,采用5分割设计,无需倾斜样品,可获得不同方向的阴影像以及成分分布图像。
单通道阴影像
成分像
LED小灯珠能谱面分析结果。
钨灯丝电镜束流大,完全满足高分辨EBSD的测试需求,能够对金属、陶瓷、矿物等多晶材料进行晶体取向标定以及晶粒度大小等分析。
该图为Ni金属标样的EBSD反极图,能够识别晶粒大小和取向,判断晶界和孪晶,对材料组织结构进行精确判断。
普通芯片-1
普通芯片-2
负极-碳
负极-碳包硅
正极-钴酸锂
正极-锰酸锂
太阳能电池-1
太阳能电池-2
高分子泡沫
催化剂-MOF材料
2A12铝合金析出相
Mg-Zn合金化合物层
不锈钢-黄铜焊接件
钛合金基体组织
合金断口脆性+韧性
韧性断口
钢铁夹杂物BSE
钢铁夹杂物SE
硅藻-1
硅藻-2
鸡葡萄球菌-1
鸡葡萄球菌-2
大米
糯米淀粉颗粒-1
糯米淀粉颗粒-2
受潮盐颗粒
粉体-钛酸钡
粉体-硫酸镁
粉体-氧化铝
过滤功能材料
岩石
纳米材料-二氧化硅微球
SiC陶瓷BSE
SiC陶瓷SE
陶瓷复合材料
碳材料样品,低电压下,穿透深度较小,可以获取样品表面真实形貌,细节更丰富。
毛发样品,在低电压下,电子束辐照损伤减小,同时消除了荷电效应。
过滤纤维管材料,导电性差,在高真空下荷电明显,在低真空下,无需镀膜即可实现对不导电样品的直接观察。
生物样品,采用大视场观察,能够轻松获得瓢虫整体形貌及头部结构细节,展现跨尺度分析。
想看哪里点哪里,导航更轻松
标配仓内摄像头,可拍摄高清样品台照片,快速定位样品。
可通过双击移动、鼠标中键拖动、框选放大,进行快捷导航
如框选放大:在低倍导航下,获得样品的大视野情况,可快速框选您感兴趣的样品区域,提高工作效率。
采取多维度的防碰撞方案:
1. 手动输入样品高度,精准控制样品与物镜下端距离,防止发生碰撞;
2. 基于图像识别和动态捕捉技术,运动过程中对仓内的画面进行实时监测;
3.*硬件防碰撞,可在碰撞一瞬间停止电机,减少碰撞损伤。
型号 | SEM3200A | SEM3200 | ||
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电子光学系统 | 电子枪类型 | 预对中型发叉式钨灯丝电子枪(灯丝电流3档可调,可显示灯丝更换时间) | ||
分辨率 | 高真空 | 3 nm @ 30 kV(SE) | ||
4 nm @ 30 kV(BSE) | ||||
8 nm @ 3 kV(SE) | ||||
*低真空 | 3 nm @ 30 kV(SE) | |||
放大倍率 | 1-300,000x(底片倍率) | |||
1-1000,000x(屏幕倍率) | ||||
加速电压 | 0.2 kV~30 kV | |||
探针电流 | ≥1.2μA,可实时显示 | |||
成像系统 | 探测器 | 二次电子探测器(ETD) | ||
*背散射电子探测器、*低真空二次电子探测器、*能谱仪EDS等 | ||||
图像保存格式 | TIFF、JPG、BMP、PNG | |||
真空系统 | 真空模式 | 高真空 | 优于5×10-4 Pa | |
*低真空 | 5~1000 Pa | |||
控制方式 | 全自动控制 | |||
涡轮分子泵 | ≥ 240 L/S | |||
机械泵 | 200 L/min (50 Hz) | |||
样品室 | 摄像头 | 光学导航 | ||
样品仓内监控 | ||||
样品台配置 | 三轴自动 | *五轴自动 | ||
行程 | X: 120 mm | X: 120 mm | ||
Y: 115 mm | Y: 115 mm | |||
Z: 50 mm | Z: 50 mm | |||
/ | R: 360° | |||
/ | T: -10°~ +90° | |||
能谱仪 | 能谱仪探测器 | 分析型SDD硅漂移电制冷探测器,有效面积≥30 mm2,晶体面积≥50 mm2,高分子超薄窗设计,无需液氮冷却,仅消耗电能 | ||
能谱仪能量分辨率 | Mn Ka保证优于129eV | |||
元素分析范围 | B5~Cf98 | |||
软件 | 语言 | 中文 | ||
操作系统 | Windows | |||
导航 | 光学导航、手势快捷导航、可自动叠加电镜图片 | |||
自动功能 | 自动亮度对比度、自动聚焦、自动像散 | |||
特色功能 | 智能辅助消像散、*大图拼接(选配软件) | |||
安装要求 | 房间 | 长 ≥ 3000 mm,宽 ≥ 4000 mm,高 ≥ 2300 mm | ||
温度 | 20 ℃~25 ℃ | |||
湿度 | ≤ 50 % | |||
电气参数 | 电源AC 220 V(±10 %),50 Hz,2 kVA |