仪器简介：
基于微波和三维(3D)EM模拟技术，AET公司开发出高精度测量的“微波电介质测试器”。

技术参数：
独特的测量手段(专利号：2002-204144)
特征
 使用开放式同轴共鸣器的消逝模型测量
 简单、无损、精确测量。开放式共鸣器方便放置样品，以及可进行快速、精确的介电常数测量
 测量稳定。采用真空附件，实现样品和探针间的稳固接触

技术参数(临时图)
 频率：非连续性频率范围为2至20GHz
 测量范围：介电常数为1~15
tan为0.001~0.1
 测量精确性
介电常数为1%
tan为5%

主要特点：
当今，精确知道材料的电学特性，是宽带通讯技术中高效率器件和系统成功发展的关键。到目前为止，对于传统的介电测量，往往需要昂贵的设备，且具有丰富的微波知识和有经验的操作。日本AET公司开发的微波介电测试器无需昂贵的设备。使用开放式同轴共鸣器的消逝模型，可对不同形状，包括薄膜的介电材料进行快速和无损测量。使用简易的逐步操作、内置的反馈振荡器电路可实现精确的测量。结合高Q腔、高精确的测量算法及3D电磁模拟软件“MW-StudioTM”*，保证测量结果的精确性。
*MW-Studio是一种3D电磁场模拟软件，由德国CST公司提供。