仪器简介：

全球专业的沉积设备制造商，为各个领域的客户提供完善的薄膜沉积解决方案：电子束蒸发系统、热蒸发系统、超高真空蒸发系统、分子束外延MBE、有机分子束沉积OMBD、等离子增强化学气相淀积系统PECVD/ICP Etcher、电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积、离子泵等；

电子束蒸发系统：
1.膜电子束蒸发系统E -Beam Evaporation System
2.高真空电子束蒸发系统High Vacuum E -Beam Evaporation System
3.超高真空电子束蒸发系统Ultra-high Vacuum (UHV) E -Beam Evaporation System
4.离子辅助蒸发系统Ion Beam Assisted Evaporation System
5.离子电镀系统Ion Plating System
6.Cluster Tool E -Beam Evaporation System
7.在线电子束蒸发系统In-line E -Beam Evaporation System

技术参数：

1.电子束源&电源
•单个或者可自由切换换电子束源：
--蒸发室数量 1 ~ 12(标配: 4, 6)
--坩埚容量：7 ~ 40 cc (zei大可达200 cc)
----标准：25 cc (4 or 6 Pocket), 40 cc (4 Pocket)
----zei大：200 cc (156cc for UHV) 可用于长时间的沉积
•偏转角度：180º, 270º
•输出功率：6, 10, 15, 20 kW

•支持两个或者三个电子束源在一个系统上
•可连续或者同时沉积两种或三种材料
•高速率沉积

2.薄膜沉积控制：
•IC-5 ( or XTC, XTM) 和计算机控制
--沉积过程参数可控
--石英晶体振荡传感器
--光学检测系统用于光学多层薄膜沉积：测量波长范围350-2000 nm，分辨率1 nm
•薄膜厚度检测和处理过程可通过计算机程序控制
•薄膜厚度检测和沉积速率可通过计算机程序控制
--支持大面积沉积
--支持在线电子束蒸发沉积
--基底尺寸：20~100英寸
--薄膜均匀性 <±1.0 to 5.0 %

3.真空腔体：
•圆柱形腔体
--直径：φ500 ~ 1,500 mm
--高度：800 ~ 1500 mm
•方形腔体
--根据客户的需求定制

4.真空泵和测量装置：
•低真空：干泵和convectron真空规
•高真空：涡轮分子泵，低温泵和离子规
•超高真空：双级涡轮分子泵，离子泵和离子规

5.控制系统PLC和 触摸屏计算机：
•硬件: PLC, 触摸屏计算机
--包括模拟和数字输入/输出卡
--显示器: LCD
•自动和手动程序控制
--程序控制：加载，编辑和保存
--程序激活控制：
----泵抽真空，蒸发沉积，加热， 旋转等
----膜厚度检测和控制多层薄膜沉积
----系统状态，数据加载等
----问题解答和联动状态

主要特点：

扩展功能：
•质量流量控制器：反应和等离子体辅助惰性气体控制
•离子源和控制器：等离子体辅助沉积
•射频电源：基底预先处理
•温度控制器：基底加热
•热蒸发器：1 or 2 boat
•蒸镀源cell：1 or 2 for doping
•冷却器：系统冷却