PlasmaPro 100 ALE 的特点:

• 准确的刻蚀深度控制；

• 光滑的刻蚀表面

• 低损伤工艺

• 数字化/循环式刻蚀工艺——刻蚀相当于ALD

• 高选择比

• 能加工最大200mm的晶圆

• 高深宽比（HAR）刻蚀工艺

• 非常适于刻蚀纳米级薄层

应用

• III-V族材料刻蚀工艺

• 固体激光器InP刻蚀

• VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀

•  射频器件低损伤GaN刻蚀

• 硅 Bosch和超低温刻蚀工艺

•  类金刚石（DLC）沉积

•  二氧化硅和石英刻蚀

• 用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖逆工艺，可处理封装好的芯片, 裸晶片，以及200mm晶圆

• 高质量PECVD沉积的氮化硅和二氧化硅，用于光子学、电介质层、钝化以及诸多其它用途

• 用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀