电介质

刻蚀(Ta2O5)—五氧化二钽

刻蚀Al2O3—刻蚀氧化铝—感应耦合等离子体刻蚀蓝宝石

GST刻蚀- 锗锑碲化物的ICP刻蚀技术

感应耦合等离子体刻蚀Bi2Te3—刻蚀碲化铋

反应离子刻蚀ITO—刻蚀铟锡氧化物

干法刻蚀LiNbO3—刻蚀铌酸锂

干法刻蚀LiTaO3—刻蚀钽酸锂

刻蚀PZT—刻蚀锆钛酸铅

刻蚀PbSe—刻蚀硒化铅

刻蚀SiC—刻蚀碳化硅

化合物半导体

刻蚀AlGaN/GaN/AlN—刻蚀氮化铝镓

深度刻蚀GaP—感应耦合等离子体刻蚀磷化镓

刻蚀GaAs/AlGaAs—刻蚀砷化镓/砷化铝镓

刻蚀GaSb—刻蚀锑化镓

刻蚀GaN—刻蚀氮化镓

刻蚀InSb—刻蚀锑化铟

刻蚀InP/InGaAsP—刻蚀磷化铟/铟镓砷磷

刻蚀InGaAlP—刻蚀铝镓铟磷

刻蚀InP—刻蚀磷化铟

刻蚀InAlAs—刻蚀砷化铟铝

刻蚀InP/InGaAsP—刻蚀磷化铟/铟镓砷磷

刻蚀ZnSe—反应离子刻蚀硒化锌

金属

刻蚀Al—感应耦合等离子体刻蚀铝

溅射刻蚀Au—溅射刻蚀金

刻蚀Cr—刻蚀铬

Cu刻蚀（反应离子刻蚀）—刻蚀铜

刻蚀Mo—刻蚀钼

刻蚀Nb（反应离子刻蚀，感应耦合等离子体）—刻蚀铌

刻蚀Ni—刻蚀镍

离子束刻蚀Ni—刻蚀镍铬合金

溅射刻蚀Pt—溅射刻蚀铂

刻蚀Ti—超大刻蚀深度

刻蚀Ta—刻蚀钽

刻蚀W—刻蚀钨

TiN的各向异性刻蚀—刻蚀氮化钛

WSi刻蚀—硅化钨刻蚀

有机物

刻蚀PMMA—刻蚀聚甲基丙烯酸甲酯

感应耦合等离子体刻蚀BCB—刻蚀苯并环丁烯

刻蚀金刚石—金刚石的刻蚀

刻蚀聚酰亚胺—聚酰亚胺的刻蚀

聚二甲基硅氧烷(PDMS)刻蚀

刻蚀PR—刻蚀光刻胶

硅烷化光刻胶的干法显影（感应耦合等离子体-反应离子刻蚀）—硅烷化光刻胶

硅

博施刻蚀Si—博施刻蚀硅

低温刻蚀Si—低温刻蚀硅

混合刻蚀Si—八氟环丁烷-六氟化硫刻蚀硅

HBr刻蚀Si—溴化氢刻蚀硅

各向同性刻蚀Si—硅的各向同性刻蚀

刻蚀SiGe——刻蚀锗硅

绝缘层上的硅(SOI)的多层刻蚀