KRI 离子源应用于磁控共溅镀设备  Co-sputter
上海伯东代理美国 KRI 考夫曼离子源应用于磁控共溅镀设备 Co-sputter 实现高质量的复合式薄膜!
磁控共溅镀主要用于复合金属或复合材料, 通过分别优化每一支磁控溅镀枪 (靶材) 的功率来控制薄膜质量, 其薄膜厚度取决于溅镀时间.
特殊系统设计的磁控共溅镀腔提供了精准控制多个磁控溅镀的制程条件, 为客户提供更好质量的复合式薄膜.

溅镀腔中, 有单片和多片式的 loading chamber, 可节省其制程腔体的抽气时间, 进而节省整体实验时间.

----------------------------------- 上海伯东美国 KRI 离子源安装于溅镀腔中 -------------------------------------

通过使用上海伯东 KRI 离子源可实现基板清洁和加速镀膜材料的溅射速度, 并且离子源在材料沉积过程中可帮助沉积并使沉积后的薄膜更为致密.
溅镀腔中在载台部分可独立施打偏压, 对其基板进行清洁与增加材料的附着性等功能.

上海伯东美国 KRI 提供霍尔离子源, 考夫曼离子源和射频离子源, 历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

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