北京中国科学院物理研究所
江西南昌大学
JEM-ARM200F 原子分辨分析型透射电子显微镜
JEM-ARM200F标配了照明系统球差校正器,是一款原子分辨分析型透射电镜,拥有世界领先的STEM-HAADF像分辨率(78pm)。标配照明系统球差校正器,且zei大限度地
升了装置的机械稳定性和电气稳定性,实现了世界领先的STEM-HAADF像分辨率 (78pm*1、82pm*2)。
产品特点:
JEM-ARM200F标配了照明系统球差校正器,是一款原子分辨分析型透射电镜,拥有世界领先的STEM-HAADF像分辨率(78pm)。
STEM-HAADF像的保证分辨率(78pm*1 )为世界之领先性能
标配照明系统球差校正器,且zei大限度地提升了装置的机械稳定性和电气稳定性,实现了世界领先的STEM-HAADF像分辨率 (78pm*1、82pm*2)。 此外经过球差校正的电子束与一般的场发射透射电镜相比,电流密度可以高出十倍。使用束斑更小、电流密度更大的电子束,能在进行原子水平的元素分析同时,大幅度地缩短测试时间,极大地提高分析效率。
*1 配备冷场发射电子枪
*2 配备肖特基场发射电子枪
通过STEM-ABF像直接观察轻元素的原子阵列
JEM-ARM200F标配了扫描透射环形明场(STEM-ABF)成像模式,通过STEM-ABF像能直接观察晶体样品中轻元素的原子阵列,还可以同时获取STEM-HAADF像,在样品结构的分析中能够发挥巨大威力
用100mm2的大面积SDD*3进行原子分辨分析
JEM-ARM200F配备日本电子制造的100mm²的大面积硅漂移检测器(Silicon Drift Detector:SDD)*3,可以进行快速、高灵敏的EDS元素分析,与经过球差校正的电子束流组合,能进行原子级的元素面分布,在原子水平的分辨率下进行成份分析。
*3 选配
用冷场发射电子枪*4进行观察和分析
冷场发射电子枪(Cold-FEG)*4配备新开发的真空系统,与传统的冷场发射电子枪不同,Flashing操作后可以马上使用。由于光源小可以获得更高分辨率的图像。此外冷场发射电子枪的能量发散度小,不仅能进行高分辨率的EELS分析,还能降低色差。
*4 选配
成像系统球差校正器*5
使用成像系统的球差校正器*5,透射电子像(TEM)的分辨率可以高达110pm。
*5 选配
产品规格:
分辨率 | |
扫描透射暗场像 | 82pm(加速电压200kV、肖特基场发射电子枪) |
透射像(点分辨率) | 190pm(加速电压200kV) |
倍率 | |
扫描透射像 | X200~X150,000,000 |
透射像 | X50~X2,000,000 |
电子枪 | |
电子枪 | 肖特基场发射电子枪 冷场发射电子枪(选配件) |
加速电压 | 200~80kV(标准200kV、80kV) |
样品系统 | |
样品台 | 全对中侧插式测角样品台 |
样品尺寸 | 3mmΦ |
zei大倾斜角 | X轴: ±25° Y轴: ±25°(使用双倾样品杆) |
移动范围 | X,Y: ±1mm Z: ±0.1mm(马达驱动/压电驱动) |
球差校正器 | |
照明系统球差校正器 | 标配 |
成像系统球差校正器 | 选配件 |
选配件 | |
主要选配件 | 能谱仪(EDS) 电子能量损失谱仪(EELS) |
日本电子株式会社2010年7月zei新推出了冷场发射双球差校正原子分辨和分析型透射电镜。
传统的冷场发射技术稳定性差,亮度低,无法保证透射电镜的使用需求。日本电子株式会社zei新开发的冷场发射技术解决了这些问题,并把该技术加入到zei新球差校正透射电镜ARM200F序列里。使ARM200F在保证亚纳米分辨率0.078nm的同时,能量分辨率提高到0.3eV,极大增强了原子级观察和原子级分析能力。
在美国的第一台搭载冷场发射电子枪的JEM-ARM200F将安装在Florida State University’s Applied Superconductivity Center, housed in the National High Magnetic Field Laboratory. 其后美国的Brookheaven国家实验室;欧洲各国;日本的东京大学、东北大学、名古屋大学、九州大学等;中国台湾的清华大学也开始纷纷采购这一设备。中科院物理所是中国大陆的第一家用户,安装后仪器始终运行稳定,超高的分辨率和分析能力已获得大量高水平数据。