SEMILAB-全光谱椭偏仪GES5E可用于High-K、Low-K、金属、光刻工艺、半导体镀膜工艺、外延工艺
价格:面议

SEMILAB-全光谱椭偏仪GES5E可用于High-K、Low-K、金属、光刻工艺、半导体镀膜工艺、外延工艺

产品属性

  • 品牌泰思肯
  • 产地匈牙利
  • 型号SEMILAB-全光谱椭偏仪GES5E
  • 关注度1457
  • 信息完整度
  • 供应商性质总代理
  • 产地类别进口
  • 价格范围10万-30万
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产品描述

SEMILAB-全光谱椭偏仪GES5E
(Spectroscopic Ellipsometer)

产品特点

业界第yi家光谱型椭偏仪测试设备厂商

业界标准测试机构定标设备,参与发布中华人民共和国椭圆偏振测试技术标准

非接触、无损测试所测样品无损伤的测量

业界最宽测试光谱范围,选配135nm-25um,并可自动切换快速探测模式和高精度探测模式

测试功能延展性强,并支持后续升级服务

定期免费升级SOPRA材料数据库

开放光学模型拟合分析过程,方便用户优化测试菜单

主要应用

光伏行业:晶硅电池减反膜、薄膜电池透明导电膜、非晶硅微晶硅薄膜电池、CIGS薄膜电池、CdTe薄膜电池、有机电池、染剂敏感太阳能电池

半导体行业:High-K、Low-K、金属、光刻工艺、半导体镀膜工艺、外延工艺

平板显示行业:TFT、OLED、LTPS、IGZO、彩色滤光片

光电行业:光波导、减反膜、III-V族器件、MEMS、溶胶凝胶

主要技术指标

测试速度:<1 sec (快速测试模式)
               <120 sec (高分辨率测试模式)

测量光谱分辨率:<0.5nm@633nm (高分辨率测试模式)
                        <0.8nm@633nm (快速测试模式)

最大样品尺寸: 300mm

厚度测量范围:0.01nm-50um

厚度测试精度:0.02nm @120nm SiO2 on Si

折射率测试精度:0.002 @120nm SiO2 on Si


北京亚科晨旭科技有限公司

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