PlasmaPro100Estrelas平台旨在满足微电子机械系统（MEMS）、先进封装以及纳米技术市场的各种工艺要求，提供深硅蚀刻（DSiE）领域的全方位灵活性。PlasmaPro100Estrelas考虑到研究和生产的市场发展，提供了工艺灵活性，包括光滑侧壁工艺、高刻蚀速率的腔刻蚀、高深宽比工艺和锥形通孔刻蚀等广泛的应用领域。此外，该平台还改善了重复性，延长了两次清洗间的平均时间间隔（MTBC）。PlasmaPro100Estrelas平台旨在确保覆盖MEMS，先进封装和纳米技术的广泛应用，并在不需要更换腔室硬件的情况下实现不同工艺。硬件设计使得在同一腔室中可进行Bosch™和超低温刻蚀工艺，从而实现纳米和微米结构刻蚀均兼容50mm至200mm的衬底。该平台具备从研发器件到量产的能力自动匹配，拥有工艺灵活性、更高流量的质量流量计以及等离子发生器。此外，它还具备自由基密度更高的腔体尺寸和高效率的泵，以及气体高速流通快速近距离耦合质量流量计和快速控制（初始为ALD而开发）。