化合物半导体的刻蚀包括AlGaN/GaN/AlN的刻蚀，氮化铝镓的深度刻蚀，还有GaP、磷化镓、GaAs/AlGaAs、砷化镓/砷化铝镓、GaSb、氮化镓、InSb、锑化铟、InP/InGaAsP、磷化铟/铟镓砷磷、InGaAlP、铝镓铟磷、InP、磷化铟、InAlAs、砷化铟铝、InP/InGaAsP、磷化铟/铟镓砷磷、ZnSe的刻蚀。还有反应离子刻蚀硒化锌电介质(Ta2O5)、氧化铝（Al2O3）和蓝宝石GST的刻蚀技术。此外，还有锗锑碲化物的ICP刻蚀技术、Bi2Te3、碲化铋的反应离子刻蚀，ITO、铟锡氧化物，以及干法刻蚀LiNbO3，LiTaO3，PZT，PbSe，SiC的刻蚀。金属刻蚀包括铝、铬、铜、钼、铌、镍、铂、钛、钽、钨的刻蚀，还有氮化钛和硅化钨的各向异性刻蚀，硅化钨的刻蚀，有机物刻蚀PMMA，BCB，金刚石，聚酰亚胺，PDMS，PR，硅烷化光刻胶，博施刻蚀硅，低温刻蚀硅，混合刻蚀硅，HBr刻蚀硅，以及SiGe的刻蚀。