技术参数：
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●采用环保设计理念，利用比阻抗控制技术来阻止超纯水中的静电产生。
●用于半导体制造和FPD制造、晶元（芯片）切割工序中，用于控制超纯水的比阻抗，防止静电破坏和微粒附着。 
●先进的比阻抗控制技术消除了高纯度水中的静电充电。
●在半导体行业的晶圆切割工序或FPD的高压冲洗工序中，可控制冲洗水的比阻抗在最佳状态。主要特点：
●可根据用途选择相应机型。
●内置阻抗探头，安装方便，配管简单。
●大水量，小压力损失。水量为3000L/h时，压力损失为0.06MPa。
●操作简单，精度高。开机后只需输入所需的阻抗值，即可精确控制在±0.03MΩ/cm。
●可在高水压环境下运行，最大使用压力为0.5MPa，可自由配置机种。
●水量变动应答速度快，能迅速调整控制，即使水量大幅变化也可适应。
●经济环保，无需Co2溶解膜等高消耗品，也无需排放Co2和废水。
●可用3%双氧水进行杀菌处理，无需担心细菌繁殖。
机型：
Rack型N4R-1.0-50
N4R-2.0-120
N4R-3.0-120
Cabinet型N4C-1.0-50
N4C-2.0-120
N4C-3.0-120处理量：
水流量100--1000L/h 200--2000L/h 300--3000L/h
控制范围：
0.15--1.7MΩ/cm 0.15--1.5MΩ/cm 0.15--1.9MΩ/cm
精度：
设定电阻率 ±0.03MΩ/cm
最大水压：
进水最大压力0.5MPa
CO2 压力：
最大CO2 压力0.7MPa
压力损失：
3000L/h时压力降为0.06MPa
接口尺寸：
连接口3/4"内螺纹
重量外形尺寸：
Rack型28Kg 480W*430L*250H(mm)
Cabinet型67Kg 430W*430L*1350H(mm)
电源：
交流电100--130V，交流电220--240V，50/60Hz，单相1A