高低温循环一体机CYGD-05200-6高低温水浴锅技术参数：

型号：CYGD-05200-6

温度范围（℃）：5~200

温度波动度(℃)：±0.05

工作槽容积(mm3)：250×200×150

工作槽开口(mm2)：180×140

槽深度（mm）：150

循环泵流量(L/min)：15

排水：有



型号：CYGD-05200-10

温度范围（℃）：5~200

温度波动度(℃)：±0.05

工作槽容积(mm3)：250×200×200

工作槽开口(mm2)：180×140

槽深度（mm）：150

循环泵流量(L/min)：15

排水：有



型号：CYGD-05200-15

温度范围（℃）：5~200

温度波动度(℃)：±0.05

工作槽容积(mm3)：300×250×200

工作槽开口(mm2)：235×160

槽深度（mm）：200

循环泵流量(L/min)：15

排水：有



（更多内容请见原文，已超出字符限制）该器件在各种电子设备和电子产品中得到广泛应用，主要用于可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等功能。
可控硅的结构和性能与外形无关，其管芯由P型硅和N型硅组成四层P1N1P2N2结构，其中包含三个PN结（J1、J2、J3）。阳极A连接至P1层，阴极K连接至N2层，控制极G连接至P2层。因此，可控硅是一种四层三端的半导体器件。
它由四层半导体材料构成，具有三个PN结，外部有三个电：阳极A连接至P型半导体，控制极G连接至P型半导体，阴极K连接至N型半导体。与二极管相似，晶闸管是单向导电器件，但多了一个控制极G，因此具有不同的工作特性。
作为以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，晶闸管起源于1957年。由于其类似真空闸流管的特性，被国际通称为硅晶体闸流管（晶闸管T），又称硅可控整流元件（可控硅SCR）。
可控硅具有单向导电性，并且比硅整流元件具有更有价值的可控性。它只能处于导通或关断状态。通过毫安级电流即可控制大功率机电设备，但超过一定功率，开关损耗增加，平均通过电流需减小，需降级使用。
可控硅具有诸多优点，例如：小功率控制大功率，功率放大倍数可达数十万倍；反应快速，微秒内开通和关断；无接触运行，无火花和噪音；高效率，低成本等。
然而，可控硅的缺点是其静态和动态过载能力较差，容易受干扰造成误导通。