型号:DOI(低阻金刚石薄膜)
品牌:合肥科晶
产地:美国
Si 无衍射基板(打圆孔)
InSb(国外进口)
Cu双晶
产品名称:
DOI(低阻金刚石薄膜Diamond?on?Oxide)
产品参数:
基底尺寸: dia4"x0.5mm
Si晶向:<100>±0.5°
绝缘层:SiO2
薄膜厚度:2um
氧化层:1um
电阻率:<0.1 ohm-cm
标准包装:
1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒装
合肥科晶开启式管式炉系列