型号:金刚石薄膜(高电阻DOI)
品牌:合肥科晶
产地:美国
仪器级微型电磁阀
热解石墨箔
Si上镀Al薄膜(Aluminum Film on Silicon Wafer)
产品名称:
DOI(金刚石薄膜Diamond?on?Oxide)
技术参数:
基底尺寸:dia4"x0.5mm
Si晶向:<100>±0.5°
绝缘层:SiO2
薄膜厚度:2um
氧化层:1um
电阻率:10E3 ~ 10E4 ohm-cm
标准包装:
1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒
合肥科晶开启式管式炉系列