产品描述
适用于紫外，深紫外的X射线相机
高敏感度，热电制冷的PIXIS-XO相机有多款不同的深耗尽式和背照式CCD芯片用于直接探测 ~30 eV and ~20 KeV 能量范围的X射线。 可旋转型的ConFlat 法兰的高真空设计，可软件选择的增益和读出速度，使得这款相机非常适合各种高真空的应用。
PIXIS-XO具有以下优点:
多样的芯片选择（1340 x 100 to 2048 x 2048 pixel arrays; 13 x 13 µm to 20 x 20 µm pixel sizes）
可探测范围：<30 eV to ~20 keV
可旋转的CF法兰接口
灵活的双读出放大器
高速USB2.0接口
LightField可实现全面的控制
综述
探测到更多的X射线光子!
普林斯顿仪器的PIXIS-XO相机致力于提供最高的直接探测性能，广泛用于X射线谱仪，X射线成像，X射线显微镜，X射线等离子诊断，深紫外刻蚀技术.
伴随着众多可选的CCD格式，100%覆盖率，低噪声电子电路，-70°C 到 -90°C的热电制冷等，PIXIS-XO为用户提供了方便快捷的实验操作和OEM条件.
产品特点
可探测范围：<30 eV to ~20 keV
适合各类应用
高速USB2.0数据接口:
任何电脑直接连接，无需额外硬件
即插即用
真正的16位数据传输能力，最高可达2MHz读出速度
可旋转的CF法兰盘:
方便准直X射线光路，提高成像和成谱质量
灵活的双读出放大器:
灵活设置，优化实验
高敏度ADC提供最低的读出噪声
大容量ADC提供最高的动态范围
最好的线性度
LightField的64-位操作平台:
直观易上手的用户界面设计
自动背景扣除，平场纠正和误差检测
PICAM（64）位通用程序语言，方便的程序修改与编译
型号和参数
| Model | Imaging Array | Pixel Size | Sensor Type |
|---|---|---|---|
100B  | 1340 x 100 | 20 x 20 µm | back-illuminated |
| 100BR | 1340 x 100 | 20 x 20 µm | back-illuminated, deep-depletion |
| 400B | 1340 x 400 | 20 x 20 µm | back-illuminated |
| 400BR | 1340 x 400 | 20 x 20 µm | back-illuminated, deep-depletion |
| 1024B | 1024 x 1024 | 13 x 13 µm | back-illuminated |
| 1024BR | 1024 x 1024 | 13 x 13 µm | back-illuminated, deep-depletion |
| 1300B | 1340 x 1300 | 20 x 20 µm | back-illuminated |
| 2KB | 2048 x 512 | 13.5 x 13.5 µm | back-illuminated |
| 2048B | 2048 x 2048 | 13.5 x 13.5 µm | back-illuminated |
Quantum Efficiency of PIXIS-XO direct detection cameras*
*Please refer to datasheets for available CCD types in each model.
