产品描述
霍尔效应测试系统依据范德堡法则测量材料的电运输性能参数：载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或薄层材料均可测量，可应用于所有半导体材料，包括Si、ZnO、SiGe、SiC，GaAs，InGaAs，InP，GaN（N型&P型均可测量）,广泛应用于国内高校、研究所、半导体、金属、高热导有机新材料等行业。
霍尔效应测试系统产品特点
自主知识产权产品。
采用高精密度恒流源和电压表，确保仪器测试的良好准确度和高稳定性，性能优越。
自动控制磁场方向的改变，更加方便准确。
样品装夹方式快速方便，且使用能够解决欧姆接触的样品芯片。
产品工业外观采用一体化、精密化设计，融入人性化的设计理念，不仅赏心悦目而且操作方便。
智能化的用户界面操作简单，功能齐全的软件平台带给客户友好的操作体验，使测试过程更加方便快捷。
霍尔效应测试系统技术参数
型号 | HET-RT | HET-HT |
磁场强度 | 6800Gs | 5000Gs |
磁场稳定性 | ±2％/每年 | |
温度范围 | RT | 100K~600K（可连续变温） |
温控精度 | \ | ±0.5K |
输出电流 | 100pA-100mA | |
迁移率 | 1-107cm2/Volt-sec | |
阻抗 | 10-6 -107?·CM | |
载流子浓度 | 107 -1021cm-3 | |
样品测量板 | 样品边长5-20mm，厚度10nm-3mm | 样品边长5-15mm，厚度10nm-1mm |
主机尺寸 | 570x545x380，单位mm | \ |
重量 | 50kg | 80kg |
霍尔效应测试系统测试实例
山东大学钛酸锶陶瓷样品测试结果
太原理工硅化镁样品测试结果
