产品描述
薄膜热导率测试系统产品特点
● 不直接测量温度变化，而是通过测量材料在导热过程中温度的变化转换为的电信号的变化来实现微/纳米薄膜材料的热导率，微伏级电压值，保证测量结果的高精确度。
● 采用交流电加热方式，同时选择并优化设计加热电极的形状与尺寸，可保证加热均匀性及测试应用的广泛性、准确性与稳定性。
● 待测薄膜样品金属尺寸极小，能有效减小黑体辐射引起的测量误差。
● 友好的软件界面。
薄膜热导率测试系统测试实例
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| 同温度下，Si薄膜热导率测试结果 | 不同温度下，SiO2薄膜热导率测试结果 |
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| 不同温度下，GeTe/Bi2Te3超晶格热导率的变化 | 不同温度下，GeTe/Bi2Te3超晶格热导率的变化 |
膜热导率测试系统技术参数
型号 | TCT-HT | ||
温度范围 | RT-500K | ||
测试对象 | 半导体薄膜、导电薄膜、绝缘薄膜等 | ||
热导率测量范围 | 0.1-10W/(m·K)(可扩展至2000W/(m·K)) | ||
测试精度 （热导率） | ±5%(在Si上测量)，±10%（其他） | ||
适合氛围 | 真空 | ||
样品尺寸 | 长 x 宽：(5-10)x(5-10)，单位mm,薄膜厚度≥100nm | ||
其他注意事项 | 测量导电薄膜时，需要沉积绝缘层（推荐：Sio2），薄膜表面要非常光滑，确保绝缘层不漏电；衬底热导率要远大于薄膜热导率，推荐使用Si、AIN等高热导衬底。 | ||
主机尺寸 | 710 x 600 x 490，单位mm | ||
重量 | 80kg |
