EMU-120/65是一款能够兼顾高通光量、高分辨率和宽光谱测量的中阶梯光栅光谱仪，采用数值孔径F/3的光学设计，波长范围190-1100nm，分辨力60,000（λ/FWHM），并获得美国专利保护。EMU-120/65中阶梯光栅光谱仪是LIBS、拉曼、OES/AES、光致发光等测量的理想工具，相比F/10中阶梯光栅光谱仪，灵敏度提高10倍以上。

EMU-120/65的另一大优势可以选用EMCCD相机，相比于ICCD相机具有更高的量子效率、分辨率和帧频，而且EMCCD相机不会轻易被强光损坏，对使用条件的要求不高。

此外，超低杂散光的光学设计加上软件控制的杂散光去除算法，使得EMU-120/65成为一款针对吸收光谱测量非常强大的仪器。

产品特点：

- 高通光量F/3

- 光谱分辨力60,000（λ/FWHM）

- 宽光谱范围190-1100nm（可选400-1700nm）

- 无需机械扫描，一次曝光获得全光谱

- 用户可自行更换光栅和入射狭缝，灵活调整通光量和分辨率

光谱分辨力

EMU-120/65卓越的光学设计实现了单个像素的分辨力。能够清晰分辨汞Hg的双峰313.155nm和313.184nm。每个峰对应一个CCD像素宽度（8微米），FWHM值0.0049nm ，分辨力63,000。

通光量/收光效率

下图是EMU中阶梯光栅光谱仪（蓝色）和SE 200中阶梯光栅光谱仪（红色）测量氘/卤钨灯的光谱对比，其中EMU数值孔径F/3，SE 200数值孔径F/10，两台光谱仪采用相同的光栅、相机和狭缝。

下图是铁元素Fe的LIBS光谱对比，EMU中阶梯光栅光谱仪搭配EMCCD（蓝色），SE 200中阶梯光栅光谱仪搭配ICCD（红色）。

杂散光和散射光

下图的过度曝光的HeNe激光线显示了主要是由光栅引起的小角度散射。散射光被测量为HeNe峰值强度的一部分，并且它在距离峰值1纳米处下降到CCD动态范围极限以下。EMU-120/65旨在最 大限度地减少受散射影响区域的杂散光。

产品指标：