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上海伯东美国考夫曼公司KRI 离子源总代理
5000参考价
上海伯东美国考夫曼公司KRI 离子源总代理
PIPES指数:7.9用户:应用:

型号型号: KRI 离子源

品牌品牌:考夫曼

产地产地:德国

伯东企业(上海)有限公司

核心参数
产地: 欧洲
供应商性质: 一般经销商
产地类别: 进口
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产品描述

上海伯东是美国考夫曼公司 KRI 离子源大中华地区总代理,离子源发明人 Dr.Kaufman 考夫曼博士 1960 年发明离子源并将此专利授权 VEECO 生产,1978 年 Dr.Kaufman 博士在美国自行创立考夫曼公司 Kaufman & Robinson.Inc (KRI) 生产离子源.2014年 VEECO 宣布关闭旗下离子源部分生产工厂

美国考夫曼公司 KRI 离子源历经 30 年改良及发展已取得多项专利,型号包含考夫曼离子源 Gridded Ion Beam Source;霍尔离子源 Griddless Ion Beam Source.美国考夫曼公司 KRI 离子源广泛应用于友厂,如德国普发 Pfeiffer Vacuum Classic 镀膜机,龙翩真空 Lung Pien 镀膜机,4Wave 离子刻蚀机等.

 

美国考夫曼公司 KRI 离子源主要优点:
考夫曼离子源: 高离子能量低离子浓度,离子抨击能量强,蚀刻效率快,可应用多种基材,单次使用长久,耗材成本极低,操作安装简易.
霍尔离子源:高离子浓度低离子能量,离子束涵盖面积广,镀膜均匀性佳,模块化设计,增加光学膜后折射率,操作安装简易.

美国考夫曼公司 KRI 离子源主要应用于
1.光学镀膜 OC(Optical Coating )
  推荐霍尔离子源 eH 200,eH 400,eH 1000,eH 5000F
2.离子源助镀 IBAD (Ion Beam Assisted Deposition)
  推荐霍尔离子源 eH 1010F,eH 1020F
3.离子溅镀 IBSD (Ion Beam Sputter Deposition)
  推荐考夫曼离子源 RFICP 40,RFICP 100,RFICP 300;KDC 10,KDC 40,KDC 75
4.离子刻蚀 IBE (Ion Beam Etching)

考夫曼离子源 RFICP 40,RFICP 100,RFICP 140,RFICP 200,RFICP 300

上海伯东依据客户实际需要提供完整真空应用解决方案,如真空泵选型销售(德国普发 Pfeiffer 机械泵,分子泵;美国 Polycold 低温泵),真空系统检漏(德国普发 Pfeiffer 氦质谱检漏仪),真空阀门选配(美国 HVA超高真空阀门,德国普发 Pfeiffer 真空阀门),蒸镀源选型(美国考夫曼公司 KRI 离子源)等等.

 

上海伯东主要经营产品:德国普发 Pfeiffer 涡轮分子泵,干式真空泵,罗茨真空泵,旋片真空泵; 应用于各种条件下的真空计,真空规管; 氦质谱检漏仪,质谱分析仪,四级杆质谱仪;以及美国 HVA 真空阀门, Polycold冷冻机,Gamma 离子泵和美国考夫曼公司 KRI 离子源 离子枪 霍尔源


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