产品描述
产品特点:
空间分辨率：20μm
测量长度：20m
中心波长：1550nm
插损、回损分析
主要应用:
无源器件插损、回损测量
硅光芯片插损、回损测量
平面波导器件测试
光学链路分析、诊断
参数:
型号 | OCI-T | 单位 |
测量长度1 | 20 | m |
空间分辨率2 | 20 | μm |
波长扫描范围 | 40 | nm |
中心波长 | 1550 | nm |
波长精度 | 1.0 | pm |
回损动态范围 | 65 | dB |
回损测量范围 | -130~0 | dB |
回损灵敏度 | -130 | dB |
回损测量精度 | ±0.5 | dB |
插损动态范围3 | 13 | dB |
插损测量精度 | ±0.5 | dB |
输入电压 | AC 220/110V; DC 12V | - |
主机功率 | 50 | W |
通讯接口 | USB | - |
光纤接口 | FC/APC | - |
尺寸 | D 345 * W 390 * H 165 | mm |
重量 | 7.5 | kg |
储藏温度 | 0~50 | ℃ |
工作温度 | 10~40 | ℃ |
工作湿度 | 10~90 | %RH |
备注：
1.OCI-T测量长度为20m ，后续支持升级至100m 。
2.空间分辨率为20μm，后续支持升级至10μm。
3.插损动态范围是指标准单模光纤其散射水平被本底噪声淹没之前的最大单向损耗。
