型号:818
品牌:理波
产地:美国
产地: | 美洲 |
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供应商性质: | 总代理 |
产地类别: | 进口 |
价格范围: | 0-5万 |
NIST 可追踪 818 系列光电二极管传感器可通过可拆卸衰减器在较宽的功率范围内进行精确的功率测量。
NIST 可追踪校准具有比同类产品具有更好的不确定度
10 mm 通光孔径衰减器设计已改进
可拆卸校准模块
波长范围为 200-1800 nm
可移动校准 OD3 衰减器
型号 | 818-UV/DB | 818-SL/DB | 818-IR/DB | 818-IG/DB |
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感光尺寸 | ?11.3 mm | ?11.3 mm | ?3 mm | ?3 mm |
材料 | UV Enhanced Silicon | Silicon | Germanium | Indium Gallium Arsenide |
光谱范围 | 200 - 1100 nm | 780 - 1800 nm | 800 - 1650 nm | |
最大可测量功率 | 0.2 W (200 - 400 nm); 50 mW ******m) | 2.0 W | 2.0 W (1830-R, 1918-R, 1936-R/2936-R), 1.3 W (843-R, 1919-R, 841-PE-USB) | 2.0 W (1830-R, 1918-R, 1936-R/2936-R), 1.3 W (843-R, 1919-R, 841-PE-USB) |
最大可测量功率(无衰减器) | 0.3 mW (200 - 400 nm); 0.1 mW ******m, >1050 nm) , 0.07 mW (600 - 1050 nm) | 4 mW with 1830-R and 1936-R, 2.5 mW with 843-R, 1919-R, and 841-PE-USB | 10 mW (1918-R, 1936-R/2936-R), 1.3 mW (843-R, 1919-R, 841-PE-USB) | 10 mW (1830-R, 1918-R, 1936-R/2936-R), 1.3 mW (843-R, 1919-R, 841-PE-USB) |
最小可检测功率 | 20 pW (1936-R/2936-R), 100 pW (1830-R, 843-R, 1919-R, 841-PE-USB), 5 nW (1918-R) | 20 pW (1936-R/2936-R), 100 pW (1830-R, 843-R, 1919-R, 841-PE-USB), 5 nW (1918-R) | 5 nW | 20 pW (1936-R/2936-R), 100 pW (1830-R, 843-R, 1919-R, 841-PE-USB), 5 nW (1918-R) |
最大功率密度 | 30 W/cm2 | 30 W/cm2 | 30 W/cm2 | 30 W/cm2 |
最大功率密度(无衰减器) | 0.2 W/cm2 | 3 W/cm2 | 3 W/cm2 | 3 W/cm2 |
最大脉冲能量(有衰减器) | 0.5 μJ | 5 μJ | 5 μJ | 5 uJ |
最大脉冲能量(无衰减器) | 0.5 nJ | 5 nJ | 5 nJ | 5 nJ |
校准不确定度(带衰减器) | ±8% @ 200-219nm ±2% @ 220-349nm ±1% @ 350-949nm ±4% @ 950-1100nm | ±1% @ 400-940nm, ±4% @ 941-1100nm | ±5% @ 780-910nm, ±2% @ 911-1700nm, ±4% @ 1701-1800 nm | ±5% @ 800-900nm, ±2% @ 901-1650nm |
校准不确定度(无衰减器) | ±4% @ 200-219nm ±2% @ 220-349nm ±1% @ 350-949nm ±4% @ 950-1100 nm | ±1% @ 400-940nm, ±4% @ 941-1100 nm | ±2% @ 780-910nm, ±2% @ 911-1700nm, ±4%@1701-1800 nm | ±2% @ 800-900 nm, ±2% @ 901-1650 nm |
衰减器 | OD3, Detachable | OD3, Detachable | OD3, Detachable | OD3, Detachable |
线性度 | ±0.5 % | ±0.5 % | ±0.5 % | ±0.5 % |
均匀性 | ±2 % | ±2 % | ±2 % | ±2 % |
上升时间 | ≤2 μs | ≤2 μs | ≤2 μs | ≤2 μs |
端口类型 | DB15 | DB15 | DB15 | DB15 |
通光孔径 | 10.3 mm | 10.3 mm | 10.3 mm | 10.3 mm |
Plots of various photodiode characteristics
Newport 使用市面上最高质量的半导体探测器材料。可用的探头类型包括硅 (Si)、紫外增强的硅、锗和砷化铟镓 (InGaAs)。对于 200 - 400 nm 波长,选择 818-UV,但请注意,在衰减器打开时******m 的最大可测量功率级别低至 50 mW。Newport 先进的校准工厂执行最严格的校准,进一步提高了我们的探测器的绝对精度。
Typical spectral responsivity of Newport's low power detectors
884-xx 系列 OD3 衰减器(针对每个匹配的探头进行校准并一起运输)可将本公司探头的校准光学动态范围延长三十年。我们的衰减器设计提供高损伤阈值和光谱平坦度。通过与本公司正在使用的光电二极管相关联的低 NEP,实现了更宽的动态范围。对于小于 1 mW 的输入功率,本公司建议移除衰减器(200 - 400 nm 之间 818-UV/DB 为 0.1 mW),以最大化信噪比。该衰减器的通光孔径为 10.3 mm。