仪器简介：

kSA BandiT是一种非接触、实时谱带吸收式半导体晶片温度传感器。它采用谱带随温度变化的半导体材料,可以监测高温计所不能测量的晶片温度。

kSA BandiT成功地为MBE, MOCVD, Sputter, PLD等半导体沉积设备上安装了高精度、多晶片的温度图像系统。通过利用kSA BandiT温度监控系统以及复杂的循环同步技术,这种新的方案能实时提供MBE生长过程中所有晶片的温度分布全图。

zei新的kSA BandiT多晶片温度监控软件结合了自动伺服马达控制的扫描检测功能,从而为获得晶片和压台全面的实时温度提供了强大的技术保证。

该系统是唯一一种能给生长过程中晶片提供实时的二维温度信息。对Wafer（及薄膜）表面温度实时、非接触、非入侵、zei直接的绝对检测；采用温度和半导体材料对光的吸收边沿（谱带能量）相关性原理，即材料的本征特性，使得测量结果更为准确；可装载到MBE、MOCVD、溅射、蒸发系统等和热处理、退火设备上，进行实时温度检测。

技术参数：

zei大温度范围：室温~1300摄氏度；

温度重复性：0.2摄氏度；

温度分辨率：0.1摄氏度；

稳定性：+/-0.2摄氏度；

主要特点：

*实时、非接触、非入侵、直接的绝对Wafer温度精确监测；

*多基片/晶片表面2D温度Mapping监测；

*zei真实的Wafer表面或薄膜温度监测；

*整合了zei新的黑体辐射监测技术；

*沉积速率和薄膜厚度分析；

*表面粗糙度分析功能；

*测量激光波长范围可选（例如：可见光波段、近红外波段等）

*避免了发射率变化对测量的影响；

*无需沉积设备Viewport特殊涂层；