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伯东供应KRI 考夫曼离子源 KDC 75
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伯东供应KRI 考夫曼离子源 KDC 75
PIPES指数:8用户:应用:

型号型号:KRI 考夫曼离子源 KDC 75

品牌品牌:Atonarp

产地产地:美国

伯东贸易(深圳)有限公司

核心参数
产地: 美洲
供应商性质: 总代理
产地类别: 进口
价格范围:
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产品描述


因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准

KRI 考夫曼离子源 KDC 75

KRI 考夫曼离子源 KDC 75
上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 75:紧凑栅极离子源,离子束直径 14 cm ,可安装在 8“CF法兰. 适用于中小型腔内, 考夫曼离子源 KDC 75 包含2个阴极灯丝, 其中一个作为备用,KDC 75 提供紧密聚焦的电子束特别适合溅射镀膜. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 250 mA.
 

KRI 考夫曼离子源 KDC 75 技术参数

型号

KDC 75 / KDC 75L(低电流输出)

供电

DC magnetic confinement

 - 阴极灯丝

2

 - 阳极电压

0-100V DC

电子束

OptiBeam™

 - 栅极

专用, 自对准

 -栅极直径

7.5 cm

中和器

灯丝

电源控制

KSC 1212 或 KSC 1202

配置

-

 - 阴极中和器

Filament, Sidewinder Filament  或LFN 2000

 - 安装

移动或快速法兰

 - 高度

7.9'

 - 直径

5.5'

 - 离子束

聚焦
平行
散设

 -加工材料

金属
电介质
半导体

 -工艺气体

惰性
活性
混合

 -安装距离

6-24”

 - 自动控制

控制4种气体

* 可选: 一个阴极灯丝; 可调角度的支架

KRI 考夫曼离子源 KDC 75 应用领域
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE


客户案例: 超高真空离子刻蚀机 IBE, 真空度 5E-10 torr, 系统配置
美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 75
考夫曼离子源 KDC 75

 

若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :

上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152******nbsp;                    M: +886-939-653-958
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

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